{"id":10968,"date":"2024-07-16T09:00:00","date_gmt":"2024-07-16T08:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/laser.usal.es\/alf\/?p=10968"},"modified":"2024-07-05T11:52:35","modified_gmt":"2024-07-05T10:52:35","slug":"op-sesion-solid-state-high-order-sideband-spectroscopy-and-microscopy","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laser.usal.es\/alf\/es\/2024\/07\/16\/op-sesion-solid-state-high-order-sideband-spectroscopy-and-microscopy\/","title":{"rendered":"Op Sesi\u00f3n – Solid-state High-order Sideband Spectroscopy and Microscopy"},"content":{"rendered":"\t\t
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Zhensheng Tao<\/strong> del\u00a0State Key Laboratory of Surface Physics and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE), de la Fudan University en Shanghai (P. R.China), impartir\u00e1 el seminario titulado \u00abSolid-state High-order Sideband Spectroscopy and Microscopy<\/span>\u00ab<\/strong> el pr\u00f3ximo 23 de julio a las 12:00.<\/p>

El seminario tendr\u00e1 lugar en el aula VII del Edificio Triling\u00fce en la Universidad de Salamanca.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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Resumen<\/em><\/span><\/div>

La manipulaci\u00f3n ultrarr\u00e1pida de estados electr\u00f3nicos en materiales cu\u00e1nticos es fundamental para la ingenier\u00eda de estados cu\u00e1nticos y la modulaci\u00f3n \u00f3ptica ultrarr\u00e1pida. Recientemente, los materiales impulsados por campos fuertes han mostrado propiedades personalizadas fascinantes, como la modificaci\u00f3n de estados topol\u00f3gicos, la modulaci\u00f3n de propiedades \u00f3pticas y la ingenier\u00eda de estructuras de bandas. Sin embargo, los m\u00e9todos experimentales para acceder a las propiedades de los estados cu\u00e1nticos vestidos por campos fuertes son limitados.<\/em><\/p>

En esta charla, presentar\u00e9 nuestras t\u00e9cnicas recientemente desarrolladas de espectroscop\u00eda y microscop\u00eda de bandas laterales de orden superior, que permiten mediciones resueltas en energ\u00eda, tiempo y espacio de estados cu\u00e1nticos vestidos por campos fuertes o fen\u00f3menos de ondas en campo cercano. Presentamos las primeras mediciones sobre las tasas de desfase de estados excit\u00f3nicos vestidos por campos fuertes, identificando la disociaci\u00f3n del excit\u00f3n por campo fuerte como el mecanismo principal de desfase. Adem\u00e1s, logramos la primera imagen tomogr\u00e1fica tridimensional en campo cercano de un campo resonante anapolo en el infrarrojo medio en un resonador de silicio de micr\u00f3metros de espesor.<\/em><\/p>

Estos resultados subrayan la espectroscop\u00eda y microscop\u00eda de bandas laterales de orden superior como herramientas poderosas para estudiar la manipulaci\u00f3n ultrarr\u00e1pida de materiales cu\u00e1nticos.<\/em><\/p><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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Figure (a) Illustration of measuring the exciton dephasing rates using high-order sideband spectroscopy. (b) Illustration of imaging near-field distribution in dielectric optical resonators.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\n

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